Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.;  endüstrinin yüksek başarımlı ilk toggle DDR 2.0 multi-level-cell (MLC) bellek yongalarının üretimine başladığını duyurdu.  Yeni  NAND flaş yongaları;  gelişmiş 20 nanometer (nm) class* üretim teknolosi ile üretildikleri için, 64 gigabit (Gb) değerine ulaşan sığaya sahipler.  Yeni yonga, akıllı telefonlar, tabletler ve Katı Hal Sürücüler (SSD) gibi yüksek başarım ihtiyacı olan ürünleri desteklemek için tasarlandı. Sahip [...]