Samsung 12nm-Class DDR5 DRAM Seri Üretimine Başladı Bellekler DRAM-Yarı İletken 29/05/202329/05/2023 Yeni Samsung DRAM çözümü, yüksek güç verimliliği ve üretkenlik özellikleri ile yeni nesil bilgi işlem uygulamalarının en iyi hale gelmesini sağlayacak.
SAMSUNG, 30nm-class teknolojisine sahip 32-Gigabyte Bellek Modüllerinin Seri Üretimine Başladı Bellekler 02/06/201131/05/2016 Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.; 32 gigabyte (GB) belleklerin seri üretimine başladığını duyurdu. 30 nanometer (nm) class 4 gigabit (Gb) DDR3 DRAM yongalarının kullanıldığı yeni bellekler, gelişmiş sunucu sistemleri ve bulut bilişim gibi hizmetler için uygun bellek çözümü olacak. Samsung 30nm-class 4Gb DDR3 yongalar; 40nm-class 4Gb DDR3 yongalardan
Samsung, Toggle DDR 2.0 arayüzünü kullanan ilk 64-gigabit MLC NAND Flash Ürünleri Hazırladığını Duyurdu DRAM-Yarı İletken 16/05/201131/05/2016 Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.; endüstrinin yüksek başarımlı ilk toggle DDR 2.0 multi-level-cell (MLC) bellek yongalarının üretimine başladığını duyurdu. Yeni NAND flaş yongaları; gelişmiş 20 nanometer (nm) class* üretim teknolosi ile üretildikleri için, 64 gigabit (Gb) değerine ulaşan sığaya sahipler. Yeni yonga, akıllı telefonlar, tabletler ve Katı Hal Sürücüler (SSD) gibi yüksek başarım ihtiyacı olan
SAMSUNG, 30nm-class teknolojisine sahip en yüksek kapasiteli Mobil DRAM ürettiğini duyurdu DRAM-Yarı İletken 25/03/201114/11/2016 Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.; 30 nanometer (nm) class teknolojisine sahip, düşük güç tüketen DDR2 (LPDDR2) DRAM yongalarının üretimine başladığını duyurdu. Yeni yonga, daha ince, hafif ve uzun pil ömrüne sahip akıllı telefon, tablet bilgisayar gibi taşınabilir cihazların üretilmesini sağlayacak. Samsung, 4Gb LPDDR2 DRAM yongaların ilk
SAMSUNG’dan Yüksek I/O Arayüzüne Sahip Yeni DRAM DRAM-Yarı İletken Güncel 24/02/201131/05/2016 Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.; 50 nanometre teknolojisi ile üretilmiş, yüksek I/O arayüzüne sahip 1 gigabit mobil DRAM geliştirdiğini duyurdu. Yeni I/O arayüzü; akıllı telefonlar ve tablet bilgisayarlar gibi mobil uygulamalarda kullanılacak. 1Gb I/O değerine sahip yeni mobil DRAM saniyede 12,8 gigabayt veri aktarım hızına sahip, bu
IBM ve Samsung’dan, Yarı İletken Araştırmalarında İşbirliği DRAM-Yarı İletken Güncel 28/01/201131/05/2016 IBM ve Samsung yeni yarı iletken malzemeler, üretim süreçleri ve diğer teknolojiler ile ilgili araştırma alanlarında işbirliği yapacaklarını duyurdular. Bu işbirliği ile; her iki şirket de akıllı telefonlardan, iletişim altyapılarına kadar geniş bir yepazede kullanılabilecek olan yeni yarı iletken üretim süreçlerini birlikte geliştirecek. Öncelikli olarak; Samsung araştırmacıları, Albany Nanotech Complex, Albany, N.Y.'de
SAMSUNG Son Kullanıcılara Yönelik Hafıza Kartlarını Tayvan’da Kullanıma Sundu Bellekler 19/10/200931/05/2016 Samsung Electronics; tüketicilere yönelik Samsung hafıza kartlarının ilk örneklerinin ekim ayı içerisinde Tayvan 'da kullanıma sunulacağını açıkladı. Samsung'un yeni özel 'Plus' hafıza kartları; Secure Digital class 6 sınıfındaki yüksek başarımlı SD, microSD kartlar ve Compact Flash (CF) kart ürünlerinden oluşuyor. Ürün kapasiteleri ile 4GB, 8GBs, 16GB olarak belirtilmiş. Veri kaybını önlemeye yönelik
DDR3 yıl sonuna kadar piyasanın üçte birini ele geçirecek DRAM-Yarı İletken Makaleler 07/07/200902/02/2018 Araştırma firmalarına göre DDR3 bellekler, yıl sonuna kadar DRAM piyasasının üçte birini ele geçirecekler.
Samsung’dan, Sunucular için Düşük Güç Tüketen 32GB DDR3 Bellekler Bellekler 19/06/200915/08/2014 Samsung Electronics Co., Ltd., sunucu sistemlerine yönelik 32GB DDR3 bellek modüllerini geliştirdiğini duyurdu.
Bigboy’dan Flash SSD G-II Katı Hal Sürücü-SSD 18/05/200915/08/2014 Katı Hal Sürücü (SSD) alanında Türkiye'de öncü firmalardan olan Bigboy Technologies yeni nesil Flash SSD G-II ürünlerini kullanıma sundu. Tüm Bigboy SSD ürünleri gibi yine Samsung Flash SSD ürünlerinin kullanıldığı Flash SSD G-II ürünler ; modele bağlı olarak 220MB/saniye okuma ve 200MB/saniye'ye ulaşan ardışık yazma hız değerleri ile 1. nesil
