Buradasınız
Anasayfa > DRAM-Yarı İletken

Samsung 4Gb LPDDR3 SDRAM Üretimine Başladığını Duyurdu

Samsung Electronics Co Ltd,  yeni nesil düşük güç tüketimli DRAM ürünü olan LPDDR3 SDRAM yongalarını ISSCC'de  (International Solid-State Circuits Conference- Uluslararası Katı Hal Devreleri Konferansı) duyurdu. Firma; "2012'nin akıllı telefonlarında en çok kullanılan DRAM bu ürün olacaktır." açıklamasını yaptı. 4Gbit kapasiteli LPDDR3 SDRAM 30nm süreç teknolojisi ile üretiliyor. Gerek duyduğu güç 1,2V. Veri

Samsung, Toggle DDR 2.0 arayüzünü kullanan ilk 64-gigabit MLC NAND Flash Ürünleri Hazırladığını Duyurdu

Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.;  endüstrinin yüksek başarımlı ilk toggle DDR 2.0 multi-level-cell (MLC) bellek yongalarının üretimine başladığını duyurdu.  Yeni  NAND flaş yongaları;  gelişmiş 20 nanometer (nm) class* üretim teknolosi ile üretildikleri için, 64 gigabit (Gb) değerine ulaşan sığaya sahipler.  Yeni yonga, akıllı telefonlar, tabletler ve Katı Hal Sürücüler (SSD) gibi yüksek başarım ihtiyacı olan

SAMSUNG, 30nm-class teknolojisine sahip en yüksek kapasiteli Mobil DRAM ürettiğini duyurdu

Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.;   30 nanometer (nm) class teknolojisine sahip, düşük güç tüketen DDR2 (LPDDR2) DRAM yongalarının üretimine başladığını duyurdu. Yeni yonga, daha ince, hafif ve uzun pil ömrüne sahip  akıllı telefon, tablet bilgisayar gibi taşınabilir cihazların üretilmesini sağlayacak. Samsung, 4Gb LPDDR2 DRAM yongaların ilk

SAMSUNG’dan Yüksek I/O Arayüzüne Sahip Yeni DRAM

Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.;  50 nanometre teknolojisi ile üretilmiş, yüksek I/O arayüzüne sahip 1 gigabit mobil DRAM geliştirdiğini duyurdu.  Yeni I/O arayüzü; akıllı telefonlar ve tablet bilgisayarlar gibi mobil uygulamalarda kullanılacak. 1Gb  I/O değerine sahip yeni mobil DRAM saniyede 12,8 gigabayt veri aktarım hızına sahip, bu

IBM ve Samsung’dan, Yarı İletken Araştırmalarında İşbirliği

IBM ve Samsung yeni yarı iletken malzemeler, üretim süreçleri ve diğer teknolojiler ile ilgili araştırma alanlarında işbirliği yapacaklarını duyurdular.  Bu işbirliği ile;  her iki şirket de akıllı telefonlardan, iletişim altyapılarına kadar geniş bir yepazede kullanılabilecek olan yeni yarı iletken üretim süreçlerini birlikte geliştirecek. Öncelikli olarak; Samsung araştırmacıları, Albany Nanotech Complex, Albany, N.Y.'de

Samsung’dan 30nm-class teknolojisi ile 32GB Gömülü Hafıza Kartı Çözümü

Gelişmiş yarıiletken teknolojisi çözümlerinde dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd., 32-Gigabyte (GB) moviNAND[tm] ürünleri kullanıma sunduğunu duyurdu. Bu ürünler, 30-nanometer (nm) class teknolojisi ile üretilen en yüksek kapasiteli bellek kartları. Yüksek kapasiteli gömülü bellek çözümleri, yeni nesil cep telefonları ve video, oyun, TV yayını gibi yüksek miktarda çokluortam içeriği işleyen

DRAM piyasasında rüzgar yön değiştiriyor

DRAM üreticilerinin 2008 yılından beri süregelen kötü gidişatı son günlerde yerini iyimser bir havaya bırakıyor. Son günlerde stokların azalması ve fiyatların düşüş periyodundan çıkarak küçük artışlar la durağanlaşması üreticileri sevindiriyor. Powerchip Yarıiletken Başkanı Frank Huang'a göre ufukta umut ışığı görünüyor. Huang " Pazarda üretim azalırken talebin devam ediyor olması" şeklinde açıklıyor. 2008

Top