Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.; endüstrinin yüksek başarımlı ilk toggle DDR 2.0 multi-level-cell (MLC) bellek yongalarının üretimine başladığını duyurdu. Yeni NAND flaş yongaları; gelişmiş 20 nanometer (nm) class* üretim teknolosi ile üretildikleri için, 64 gigabit (Gb) değerine ulaşan sığaya sahipler. Yeni yonga, akıllı telefonlar, tabletler ve Katı Hal Sürücüler (SSD) gibi yüksek başarım ihtiyacı olan
Tag: Flash Bellek
Dijital Medya Klavuzu
Dijital Medya Kılavuzu Dijital fotoğraf makineleri ve diğer dijital cihazlar için taşınabilir dijital medya.. 1.0 Flash Bellek: Yeni Nesil Cihazların Ortaya Çıkmasını Sağladı Flash bellek teknolojisi 1980'lerde Toshiba tarafından icat edildi. Bu teknoloji ile veriler yine belleğe kaydediliyordu ancak bu kez güç kaynağı kapandığında bellek üzerindeki bilgiler silinmiyordu. Geçen yıllar içerisinde bellek teknolojisi