Gelişmiş bellek teknolojilerinde dünya lideri Samsung Electronics; DDR5 DRAM bellek yelpazesini, endüstrinin ilk High-K Metal Gate (HKMG) süreç teknolojisi temelli 512GB DDR5 modülü ile genişletiyor. 7200MHz değerine ulaşan hızları ile DDR5 bellekler DDR4 belleklerin 2 katı yüksek performans sunuyor. Bu sayede DDR5, süper bilgisayarlar, yapay zeka (AI) ve makine öğrenimi (ML) uygulamaları ile veri analiz sistemleri gibi yoğun hesaplama gücü ve yüksek bant genişliği gerektiren uygulamaların ihtiyaçlarına çözüm sunacak.

Samsung DDR5; geleneksel olarak mantık yarı iletkenlerinde (logic semiconductors) kullanılan son derece gelişmiş HKMG teknolojisini kullanacak. Giderek küçülen DRAM yapıları nedeni ile yalıtım katmanı da incelmektedir, bu da kaçak akımın daha fazla gerçekleşmesine sebep olmaktadır. Yalıtım malzemesinin HKMG malzemesi ile değiştirilmesi ile Samsung DDR5, kaçağı azaltarak performansta yüksek değerler sunacak. Bu yeni bellek, yaklaşık olarak %13 daha az güç tüketimi ile özellikle veri merkezleri gibi enerji verimliliğin önemli olduğu alanlar için uygun bellek çözümü olacak.

HKMG süreci, endüstride ilk kez 2018 yılında Samsung GDDR6 belleklerde uygulanmıştı. Uygulamanın DDR5 ürünlerinde kullanılması ile Samsung yeni nesil DRAM teknolojisindeki liderliğini  koruyacağını gösteriyor.

Samsung; through-silicon via (TSV) teknolojisinden yararlanarak 16Gb DRAM yongalarını sekiz katmanlı kullanarak 512GB kapasite elde etmekte. TSV ilk kez 2014 yılında Samsung’un sunduğu 256GB sunucu modüllerinde kullanılmıştı.

Samsung DDR5 ürün ailesinin farklı modellerinin örneklerini de sunmaya devam ediyor. İş ortaklarına sunduğu bu örnekler sayesinde AI ve ML, büyük boyutlu veri işleme, analiz ve benzeri uygulamalarda kullanım ve ardından sertifika onayı almayı hedefliyor.

Kaynak : Samsung