Buradasınız
Anasayfa > Katı Hal Sürücü-SSD > Samsung Veri Merkezleri için 3-bit NAND Katı Hal Sürücüleri Duyurdu

Samsung Veri Merkezleri için 3-bit NAND Katı Hal Sürücüleri Duyurdu

İki yeni SSD serisi KOBİ ve büyük veri merkezlerinin yüksek güvenilirlik ve dayanım ihtiyaçlarına yönelik çözümler sunuyor

Gelişmiş bellek teknolojisinin lider üreticisi Samsung Electronics, sunucu ve veri merkezleri için ilk yüksek performanslı 3-bit NAND tabanlı SSD çözümlerinin seri üretimine başladığını duyurdu. Yeni SSD çözümleri sosyal ağ, web yayını ve e-posta sunucularının yoğun iş yüklerini daha etkin bir şekilde karşılayarak ve verimli biçimde çalışmalarını sağlıyor.

Yeni PM853T SSD serisi 240GB, 480GB ve 960GB, kapasitelerde sunulacak. Yüksek rastgele girdi çıktı (random IOPS) başarımına ve servis kalitesine (quality of service-QoS),sahip olan ürünler, veri merkezi ve bulut sunucu uygulamaları için özel çözümler sunuyor.

Sürücüde, Samsung’un 10 nanometer (nm)-class 3-bit NAND flash bileşenleri ve gelişmiş kontrolcü teknolojisinin kullanılmış.  Bu sayede 530MB/s ardışık okuma ve 420MB/s ardışık yazma başarımı sunuyor. Okuma ve yazma için rastgele girdi çıktı değerleri ise sırası ile 90,000 IOPS ve 14,000 IOPS.

Bellenim ve kontrolcüsü Samsung PM853T SSD temel alan ve Samsung’un 10 nanometer (nm)-class 3-bit NAND flash bileşenleri ile üretilen Samsung 845DC EVO SSD ürünleri, büyük ölçekli veri merkezleri ve sunucu üreticileri çözümleri sunan Samsung PM853T SSD’den farklı olarak KOBİ’ler, sistem üreticileri ve veri merkezleri kullanımı için uygun çözümler sunuyor.

240GB, 480GB ve 960GB kapasitelerde sunulan Samsung 845DC EVO çözümleri yüksek güvenilirlik ve dayanıma sahip. 530MB/s okuma hızı ve 87,000 random IOPS değerlerine sahip, bu değerlerin yanı sıra 600 TBW (total bytes written) kullanım değeri sunuyor.

Samsung 845DC EVO, çalışırken ortalama olarak 4watt güç harcamakta, bu da veri merkezlerinde kullanılan sabit disk sürücülerden %25 daha az güç tüketimi anlamına geliyor.

Kaynak: Samsung , Samsung Tomorrow

Top