IBM ve Samsung’dan, Yarı İletken Araştırmalarında İşbirliği DRAM-Yarı İletken Güncel 28/01/201131/05/2016 IBM ve Samsung yeni yarı iletken malzemeler, üretim süreçleri ve diğer teknolojiler ile ilgili araştırma alanlarında işbirliği yapacaklarını duyurdular. Bu işbirliği ile; her iki şirket de akıllı telefonlardan, iletişim altyapılarına kadar geniş bir yepazede kullanılabilecek olan yeni yarı iletken üretim süreçlerini birlikte geliştirecek. Öncelikli olarak; Samsung araştırmacıları, Albany Nanotech Complex, Albany, N.Y.'de
Samsung’dan 30nm Teknolojili İlk DDR4DRAM Örnekleri Bellekler 18/01/201131/05/2016 Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.; 30 nanometre teknolojisi ile üretilmiş ilk DDR4 DRAM belleği geliştirdiğini açıkladı. Yeni DDR4 DRAM bellek saniyede 2,133 gigabit veri aktarabiliyor ve güç tüketimi 1,2V. Mevcut DDR teknolojisi olan DDR3 belleklerde bu değerler 1,600Gbps ve 1,35V. Bir dizüstü bilgisayarda kullanılan DDR4 bellek sayesinde 1,5V DDR3 belleğe
Kingston Digital USB 3.0 2011 Yol Haritasını Anlattı USB Flash Bellek 10/01/201131/05/2016 Kingston Technology Company, Inc., Flash Bellek ürünleri iştiraki olan Kingston Digital, Inc., CES 2011 fuarında açıkladığı yol haritası ile USB 3.0 arayüzüne verdiği desteği gösterdi. Kingston®; kullanıcıların ihtiyaçları doğrultusunda oldukça kapsamlı kullanımı giderek yaygınlaşan USB 3.0 arayüzüne sahip, ürün ailesini satışa sunacak. Teknoloji meraklıları ve deneyimli kullanıcılar için Kingston en hızlı