Wi-Drive, Kingston Digital’den iPad, iPhone ve iPod’un Depolama Şekline Farklı Bir Çözüm USB Flash Bellek 03/06/201109/11/2016 Kingston Technology Company, Inc., Flash Bellek ürünleri iştiraki olan Kingston Digital, Inc., yeni depolama sürücüsü Wi-Drive™ ürününü duyurdu. Apple iPad®, iPhone® ve iPod kullanıcılarının artan depolama ihtiyaçlarına yönelik olarak tasarlanan Wi-Drive; ince ve şık bir yapıya sahip. (www.kingston.com/flash/wi_drive.asp). Kablosuz depolama çözümü olan Wi-Drive, kullanıcılara cihaz içine depolanan belgeler, görseller, müzük ve videolara
SAMSUNG, 30nm-class teknolojisine sahip 32-Gigabyte Bellek Modüllerinin Seri Üretimine Başladı Bellekler 02/06/201131/05/2016 Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.; 32 gigabyte (GB) belleklerin seri üretimine başladığını duyurdu. 30 nanometer (nm) class 4 gigabit (Gb) DDR3 DRAM yongalarının kullanıldığı yeni bellekler, gelişmiş sunucu sistemleri ve bulut bilişim gibi hizmetler için uygun bellek çözümü olacak. Samsung 30nm-class 4Gb DDR3 yongalar; 40nm-class 4Gb DDR3 yongalardan
Samsung, Toggle DDR 2.0 arayüzünü kullanan ilk 64-gigabit MLC NAND Flash Ürünleri Hazırladığını Duyurdu DRAM-Yarı İletken 16/05/201131/05/2016 Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.; endüstrinin yüksek başarımlı ilk toggle DDR 2.0 multi-level-cell (MLC) bellek yongalarının üretimine başladığını duyurdu. Yeni NAND flaş yongaları; gelişmiş 20 nanometer (nm) class* üretim teknolosi ile üretildikleri için, 64 gigabit (Gb) değerine ulaşan sığaya sahipler. Yeni yonga, akıllı telefonlar, tabletler ve Katı Hal Sürücüler (SSD) gibi yüksek başarım ihtiyacı olan
SAMSUNG, 30nm-class teknolojisine sahip en yüksek kapasiteli Mobil DRAM ürettiğini duyurdu DRAM-Yarı İletken 25/03/201114/11/2016 Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.; 30 nanometer (nm) class teknolojisine sahip, düşük güç tüketen DDR2 (LPDDR2) DRAM yongalarının üretimine başladığını duyurdu. Yeni yonga, daha ince, hafif ve uzun pil ömrüne sahip akıllı telefon, tablet bilgisayar gibi taşınabilir cihazların üretilmesini sağlayacak. Samsung, 4Gb LPDDR2 DRAM yongaların ilk
Lexar Media’dan 128GB Professional SDXC Hafıza Kartları Güncel Hafıza Kartı 16/03/201131/05/2016 128GB ve 64GB SDXC Kartlar Uyumlu Sistemlerle Yüksek Çözünürlükli Video ve Fotoğraf Çekme Yeteneğinizi Arttıracak Hafıza kartı alanında önde gelen şirketlerden Lexar Media, Lexar® Professional Secure Digital Extended Capacity (SDXC) 133x 128GB ve 64GB ürünlerini kullanıma sunduğunu duyurdu. 563
Intel’den 6Gbps Sata Arayüzlü SSD Serisi: Intel® SSD 510 Katı Hal Sürücü-SSD 28/02/201131/05/2016 Oyun meraklıları, iş istasyonu kullanıcıları ve görüntü işleyen kullanıcılar; Intel'in en yeni SSD ile 2.Nesil Intel® Core™ işlemcilerden tam olarak yararlanabilecek Intel, katı hal sürücülerinin yeni ürün grubu olan Intel® Solid-State Drive 510 Serisi ürünlerin tanıtımını yaptı. Yeni Intel SSD 510; ikinci nesil Intel® Core™ işlemcili sistemlerde kullanılmaya başlayan SATA arayüzünün tüm olanaklarından yararlanmayı sağlayan 6 gigabit
SAMSUNG’dan Yüksek I/O Arayüzüne Sahip Yeni DRAM DRAM-Yarı İletken Güncel 24/02/201131/05/2016 Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.; 50 nanometre teknolojisi ile üretilmiş, yüksek I/O arayüzüne sahip 1 gigabit mobil DRAM geliştirdiğini duyurdu. Yeni I/O arayüzü; akıllı telefonlar ve tablet bilgisayarlar gibi mobil uygulamalarda kullanılacak. 1Gb I/O değerine sahip yeni mobil DRAM saniyede 12,8 gigabayt veri aktarım hızına sahip, bu
IBM ve Samsung’dan, Yarı İletken Araştırmalarında İşbirliği DRAM-Yarı İletken Güncel 28/01/201131/05/2016 IBM ve Samsung yeni yarı iletken malzemeler, üretim süreçleri ve diğer teknolojiler ile ilgili araştırma alanlarında işbirliği yapacaklarını duyurdular. Bu işbirliği ile; her iki şirket de akıllı telefonlardan, iletişim altyapılarına kadar geniş bir yepazede kullanılabilecek olan yeni yarı iletken üretim süreçlerini birlikte geliştirecek. Öncelikli olarak; Samsung araştırmacıları, Albany Nanotech Complex, Albany, N.Y.'de
Samsung’dan 30nm Teknolojili İlk DDR4DRAM Örnekleri Bellekler 18/01/201131/05/2016 Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.; 30 nanometre teknolojisi ile üretilmiş ilk DDR4 DRAM belleği geliştirdiğini açıkladı. Yeni DDR4 DRAM bellek saniyede 2,133 gigabit veri aktarabiliyor ve güç tüketimi 1,2V. Mevcut DDR teknolojisi olan DDR3 belleklerde bu değerler 1,600Gbps ve 1,35V. Bir dizüstü bilgisayarda kullanılan DDR4 bellek sayesinde 1,5V DDR3 belleğe
Kingston Digital USB 3.0 2011 Yol Haritasını Anlattı USB Flash Bellek 10/01/201131/05/2016 Kingston Technology Company, Inc., Flash Bellek ürünleri iştiraki olan Kingston Digital, Inc., CES 2011 fuarında açıkladığı yol haritası ile USB 3.0 arayüzüne verdiği desteği gösterdi. Kingston®; kullanıcıların ihtiyaçları doğrultusunda oldukça kapsamlı kullanımı giderek yaygınlaşan USB 3.0 arayüzüne sahip, ürün ailesini satışa sunacak. Teknoloji meraklıları ve deneyimli kullanıcılar için Kingston en hızlı
